IGBT – 带VCESAT和VTH分档的650V、120A 场截止型沟槽式IGBT

Obsolete

概览

AFGY120T65SPD-B4是一款基于沟槽式场截止 型第3代技术的650V 120A IGBT。这款产品基于Vcesat 和 Vth 进行分档,即每个单独单元的顶部标记定义了该器件的Vcesat和Vth范围,让客户能够并行组装参数分布非常接近的单元,从而在应用中实现更好的电流共享。

  • 电动汽车主驱电机逆变器

  • 电动车
  • 混动电车

  • Vcesat 和 Vth 分档
  • 车规级认证
  • 极低饱和电压:VCE(sat) = 1.5 V(典型值)@ IC = 120 A
  • 最高结温:TJ = 175°C
  • 正温度系数
  • 紧凑的参数分布
  • 高输入阻抗
  • 零件100%经过动态测试
  • 短路耐受性 > 6μs @ 25 oC
  • 与软性、快速恢复Extremefast二极管共封装
  • 无铅、无卤素/BFR,并且符合 RoHS 标准

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产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

AFGY120T65SPD-B4

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

30

N

-

650

240

1.5

1.3

3.5

6.8

123

-

162

6

-

882

Yes

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