IGBT,1100V,50A,短路阳极

Obsolete

概览

安森美半导体的短路阳极沟槽 IGBT 采用先进的场截止沟槽和短路阳极技术,可为开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件适用于电磁炉和微波炉。

  • 内置反并联二极管,用于软开关应用
  • 大开关频率范围:10 kHz 至 50 kHz
  • 高温稳定性能(Tjmax = 175℃)
  • 低饱和压降:VCE(sat) = 2.06 V,需 IC = 50 A
  • 鲁棒性锅炉检测噪声抗扰度
  • 符合 RoHS 标准(无铅引脚电镀)

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGA50S110P

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

N

-

1100

30

2.06

1.96

0.99

2.24

-

-

195

-

-

300

Yes

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