IGBT,600V,40A,场截止

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安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为低导通和开关损耗至关重要的焊接机和 PFC 应用提供最佳性能。

  • 其他工业
  • 最大结温TJ =175 °C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat) =1.9V(典型值)@ IC =40A
  • 快速开关:EOFF =6.5uJ/A
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
  • 仅红外回流焊

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGB40N60SM

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

260

REEL

800

N

-

600

40

1.9

-

0.26

0.87

-

-

119

-

-

349

No

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