IGBT,650V,40A,场截止沟槽

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FGH40T65SPD_F085 使用新颖的第三代场截止 IGBT 技术,具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能,可在各种应用中实现高效能运行,同时提供 50V 的更高阻断电压和稳固的高电流开关可靠性。同时,该零件还具有并行运行的出色性能优势。

  • Aux. Inverter
  • Battery Discharge
  • PTC Heater

  • Hybrid Electrical Vehicle
  • Electrical Vehicle

  • 符合 AEC-Q101 标准
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 2.0 V(典型值) @ IC = 40 A
  • 最高结温: TJ = 175°C
  • 紧密的参数分布
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 部件 100% 进行动态检测(备注 1
  • 短路耐用性 >5 us @ 25°C
  • 快速开关
  • 与快速软恢复极快速二极管共封装
  • 符合 RoHS 标准

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产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGB40T65SPD-F085

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

260

REEL

800

Y

-

650

-

-

2

0.28

0.97

-

~NA~

36

5

~NA~

267

-

$2.1825

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