功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FAST,600 V,22 A,170 mΩ,TO-247

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SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SuperFET II MOSFET 适用于各种 AC/DC 电源转换,实现系统小型化和更高能效。

  • AC-DC商用电源
  • AC-DC商用电源-台式计算机
  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 消费电子
  • 发电和配电
  • 650 V @TJ = 150°C
  • 典型值 RDS(on) = 150 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 42 nC)
  • 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 190 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准

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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCH170N60

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

170

DC: ±20, AC: ±30

3.5

22

227

-

-

-

42

2150

11

6200

60

2.65

$2.5422

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