N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75V,80 A,4.5 mΩ

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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75 V,80 A,4.5 mΩ 此款最新的屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的效率。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
  • 其他工业
  • 电动自行车
  • RDS(on) = 3.9mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A
  • QG(tot) = 92nC (Typ.) @ VGS = 10V
  • 低米勒电荷
  • 低 Qrr体二极管
  • UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合 AEC Q101,以前的开发类型为 82684

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDB045AN08A0

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

75

4.5

±20

4

80

310

-

-

-

92

6600

21

54

1000

240

$1.8066

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