Silicon Carbide (SiC) MOSFETs | NTBL045N065SC1

碳化硅（SiC）MOSFET – EliteSiC系列，33 mohm，650V，M2，TOLL封装

Active

数据表

产品

相似产品推荐

概览

碳化硅MOSFET 采用全新工艺技术，相较于硅基款，能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI，以及更小的系统尺寸。TOLL开尔文源极配置封装和更低的寄生源电感，提供更好的热性能和优秀的开关性能，以及1级湿度敏感度。

  • 电信
  • 云系统
  • 工业

  • 电信电源
  • 服务器电源
  • UPS / ESS
  • 太阳能

  • 最高结温175°C
  • 无引线SMD薄封装
  • 开尔文源极配置
  • 超低栅极电荷 (QG(tot) = 105 nC)
  • 低有效输出电容（Coss = 162 pF）
  • 体二极管反向恢复电流为零
  • Typ. RDS(on) = 33 mΩ @ Vgs : 18V
  • 650V额定电压
  • 100%通过雪崩测试
  • 无铅，无卤素/溴化阻燃剂（RFB），符合RoHS标准
  • 1级湿度敏感度
  • 内部栅极电阻： 3.1 Ω

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to NTBL045N065SC1

CAD Model

CAD模型

物质成分

产品更改通知

Elite Power Simulator

PLECS Model Generator

产品列表

需要栅极驱动器？

如需购买产品或样品，请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

排序方式

产品系列:

┗

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

Blocking Voltage BVDSS (V)

ID(max) (A)

RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)

Qg Total (nC)

Output Capacitance (pF)

Tj Max (°C)

Reference Price

NTBL045N065SC1

Contact Sales

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

H-PSOF8L 9.90x10.38x2.30, 1.20P

100DC

1

260

REEL

2000

F

M2

650

73

33

105

162

175

$6.7164

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.