NTHL020N120SC1

碳化硅（SiC）MOSFET – EliteSiC系列，20 mohm，1200V，M1，TO-247-3L封装

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碳化硅MOSFET 采用全新工艺技术，相较于硅基款，能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI，以及更小的系统尺寸。

应用

PFC
升压逆变器
光伏充电

终端产品

光伏逆变器
网络电源
服务器电源
充电站

特性

Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A
高速开关和低电容
1200V
100% 通过 UIL 测试

物质成分

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I_D(max) (A)

R_DS(on) Typ @ 25°C (mΩ)

Q_g Total (nC)

Output Capacitance (pF)

T_j Max (°C)

Reference Price

NTHL020N120SC1

Active

TO-247-3LD

340CX

TUBE

450

1200

103

203

260

175

$21.93

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs | NTHL020N120SC1

碳化硅（SiC）MOSFET – EliteSiC系列，20 mohm，1200V，M1，TO-247-3L封装

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