碳化硅(SiC)MOSFET – EliteSiC系列,20 mohm,1200V,M1,TO-247-3L封装

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碳化硅MOSFET 采用全新工艺技术,相较于硅基款,能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷,为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI,以及更小的系统尺寸。

  • PFC
  • 升压逆变器
  • 光伏充电

  • 光伏逆变器
  • 网络电源
  • 服务器电源
  • 充电站

  • Max RDS(on) = 28mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A
  • 高速开关和低电容
  • 1200V
  • 100% 通过 UIL 测试

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Family

Blocking Voltage BVDSS (V)

ID(max) (A)

RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)

Qg Total (nC)

Output Capacitance (pF)

Tj Max (°C)

Reference Price

NTHL020N120SC1

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3LD

NA

0

TUBE

450

Y

M1

1200

103

20

203

260

175

$21.93

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