碳化硅(SiC)MOSFET,N沟道– EliteSiC系列,20 mohm,1200V,M1,D2PAK−7L封装

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EliteSiC系列碳化硅MOSFET 采用全新工艺技术,相较于硅基款,能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷,为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI,以及更小的系统尺寸。

  • 高功率DC-DC
  • 逆变器
  • 用于EV/PHEVDC/DC转换器
  • 汽车逆变器
  • 1200V额定电压
  • AEC−Q101车规级认证
  • Max RDS(on) = 28 mΩ at Vgs = 20V, Id = 60A
  • 高速开关和低电容
  • 100% 通过 UIL 测试
  • 符合RoHS标准

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MSL Temp (°C)

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Blocking Voltage BVDSS (V)

ID(max) (A)

RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)

Qg Total (nC)

Output Capacitance (pF)

Tj Max (°C)

Reference Price

NVBG020N120SC1

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Pb

A

H

P

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

1

245

REEL

800

Y

M1

1200

98

20

220

258

175

$31.8634

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