Automotive Discrete MOSFETS: A Competitive Differentiator

与其他细分市场相比，汽车市场占安森美半导体收入的最大份额。在汽车市场垂直领域，电源方案部（PSG）提供有竞争力的方案用于动力总成、先进驾驶辅助系统(ADAS)、车内、车身、联接和LED照明应用。当今内燃机汽车向具有更高自动化水平、提高燃油能效和减少排放发展，为电子系统设计带来了一系列新挑战。半导体供应商将提供低成本、重量轻的器件方案，具有降低的功耗，及高达175°C结温的热性能。

安森美半导体迄今已在汽车MOSFET市场上取得了强大的地位，提供广泛的符合AECQ-101汽车认证的具有竞争力的MOSFET阵容，为48V轻度混合系统的电源结构、插电式混动/电动(PHEV/ BEV)汽车的车载充电单元、电气化动力总成中的高压到低压DC-DC变换器以及连接电池的12V 电子控制单元(ECU)应用提供了方案，符合汽车系统设计考量。

在推广中的μ8FL（3x3mm）、SO8-FL（5x6mm）、Power56、LFPAK、Power88（8x8mm）和TOLL（10x12mm）封装较小，取代用于电机驱动、电磁控制、反向电池保护电路和12V ECU系统的旧的较大的DPAK、D2PAK和SOT-223封装。与旧封装相比，更小尺寸的占位具有更低的构造成本，其电阻和电感值分别低至0.2 mΩ和1 nH。这些属性转换为具有低导通电阻(Rds-ON)和门极电荷值的具性价比的方案，可最小化导通和开关损耗。

表1. 汽车MOSFET用于关键应用

此外，更小的节省空间的封装与较大的DPAK和D2PAK封装具有相当的热性能。为遵从电气动力总成系统设计的考量，可提供Power56双冷却、Power88单/双冷却、650V SuperFET®III和LFPAK56 MOSFET封装。双冷却封装结构可最大化PCB板空间使用率和实现出色的热传导。 Power56兼容Power SO-8封装并减少了寄生效应。 Power88单封装采用8x8 mm封装，采用薄型结构，适合替代较大的PTH和D2PAK封装。 SuperFET®III MOSFET是一款高压FET，具有降低的Rds-ON、门极和输出电荷，有助于降低导通和开关损耗。 SuperFET®III MOSFET采用易驱动和FRFET版本，具有良好的安全工作区(SOA)额定值。易驱动版本可内部调节门极电阻和寄生电容，有极低的EMI和电压尖峰。 FRFET版本包括一个高度优化的恢复二极管，具有超低Qrr和Trr，对于最小化开关损耗和提高系统级可靠性至关重要。

LFPAK56封装具有超低封装杂散电感和电阻值。它采用强固的结构，鸥翼式(gull-wing)设计可承受由于热和机械应力引起的膨胀和收缩，而不会影响性能。该表归纳了汽车MOSFET用于关键应用。

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