onsemi’s EliteSiC Silicon Carbide Family Solutions Deliver Industry-Leading Efficiency

2023年1月5日（ラスベガス - 2023年1月3日）- インテリジェントなパワーおよびセンシング技術のリーディング・サプライヤであるオンセミ（onsemi、本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、シリコンカーバイド（SiC）ファミリの名称を新たに「EliteSiC」とすることを発表しました。オンセミは、今週米国ネバダ州ラスベガスで開催されるコンシューマー・エレクトロニクス・ショー（CES）で、1700 V EliteSiC MOSFETと2つの1700 Vアバランシェ定格EliteSiCショットキーダイオードの3つの新しいファミリ製品を展示します。これらの新しいデバイスは、エネルギーインフラおよび産業用ドライブアプリケーション向けに高い信頼性と高効率性能を実現し、オンセミの産業用SiCソリューションにおけるリーダーとしての立場を強固なものにします。

オンセミの1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1）は、高電力産業用アプリケーションに求められる高ブレークダウン電圧（BV）のSiCソリューションを提供します。2つの1700 Vアバランシェ定格 EliteSiC ショットキーダイオード（NDSH25170A, NDSH10170A）は、SiCによって可能になる高い効率を提供しながら、高温時でも安定した高電圧動作を実現します。

オンセミで、エグゼクティブ・バイス・プレジデント兼パワー・ソリューションズ・グループのジェネラル・マネージャを務めるサイモン・キートン（Simon Keeton）は、次のように述べています。「新しい1700 V EliteSiCデバイスは、電力損失を低減しながらクラス最高の効率を提供することにより、当社のEliteSiCファミリ製品の優れた性能と高い品質基準を満たすだけでなく、オンセミのEliteSiCの深さと幅をさらに広げます。オンセミは、エンドツーエンドのSiC製造能力と併せて、産業用エネルギーインフラと産業用ドライブプロバイダのニーズに応える技術と供給保証を提供します」

再生可能エネルギーアプリケーションは、1100 Vから1500 VDCバスのソーラーシステムへと着実に高電圧に移行しています。この変化に追従するため、顧客はより高いBVのMOSFETを必要としています。新しい1700 V EliteSiC MOSFETは、最大Vgs範囲が-15V/25Vで、ゲート電圧が最大-10Vになる高速スイッチングアプリケーションに最適で、システムの信頼性向上を実現します。

1700 V EliteSiC MOSFETは1200 V、40 Aのテスト条件で200 nCのゲート電荷（Qg）を達成し、300 nCに近い同等の競合デバイスに比べて、市場をリードしています。低Qgは、高速スイッチングの高電力再生可能エネルギーアプリケーションでの高効率達成に重要です。

EliteSiCショットキーダイオードデバイスでは、BV定格1700 Vにおいてダイオードの最大逆電圧（VRRM）とピーク繰り返し逆電圧間のマージンが向上しています。また、最大逆電流（IR）が25°C時にわずか40 µA、175°C時に100 µAという優れた逆方向リーク性能も実現しています。これは25°C時定格100 µAが一般的な競合デバイスに比べて大幅に優れています。

オンセミのEliteSiCソリューションの詳細については、オンセミのウェブサイトをご覧ください。1月5～8日に米国ネバダ州ラスベガスで開催されるCES 2023でもご紹介しています。