onsemi Acquires Silicon Carbide JFET Technology to Enhance Its Power Portfolio for AI Data Centers

从Qorvo收购碳化硅JFET业务及联合碳化硅子公司，预计将在5年内为公司拓展13亿美元的市场机会

美国亚利桑那州斯科茨代尔 - 2024年12月4日 - Onsemi (安森美半导体，纳斯达克代码：ON) 今天宣布已达成协议，以1.15亿美元现金从Qorvo收购碳化硅结场效应晶体管(SiC JFET)技术业务，包括United Silicon Carbide子公司。此次收购将补充 Onsemi 丰富的 EliteSiC 电源产品组合，使公司能够满足人工智能数据中心电源装置在 AC-DC 阶段对高能效和功率密度的需求。此外，此举还将加速 onsemi 为电动汽车电池断开和固态断路器 (SSCB) 等新兴市场做好准备。

SiC JFET 的单位芯片面积导通电阻最低，使用量不到其他任何技术的一半。它们还允许使用典型的现成驱动器，几十年来，硅基晶体管一直使用这些驱动器。这些优势共同带来了更快的开发速度、更低的能耗和更低的系统成本，为电源设计人员和数据中心运营商带来了巨大价值。

"随着人工智能工作负载变得更加复杂和能源密集，能够提供高能效和处理高电压的可靠SiC JFET的重要性将继续增加，"onsemi集团总裁兼电源解决方案事业部总经理Simon Keeton说。"随着 Qorvo 行业领先的 SiC JFET 技术的加入，我们的智能电源产品组合为客户提供了另一种优化能耗和提高功率密度的解决方案。

该交易受惯例成交条件的限制，预计将于 2025 年第一季度完成。

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