PLECS模型自助生成工具

提高仿真准确度
提升电路性能

复杂电力电子应用的系统级仿真对于需要“一次到位”的设计来讲至关重要。安森美的PLECS模型自助生成工具能够帮助电力电子工程师，更加轻松灵活地创建出高精度系统级PLECS模型。您既可直接在仿真平台上使用模型，也可以将其上传至Elite Power仿真工具进行仿真。

生成模型 *需要登陆MyON账号

软/硬开关皆可适用

采用PLECS模型的系统级仿真工具通常仅适用于硬开关，而软开关的仿真结果往往极不准确。安森美（onsemi）首创的PLECS模型，软/硬开关应用皆可适用，比如如DC-DC LLC、CLLC谐振式、双有源桥和移相全桥转换器。

自定义应用寄生参数

根据用户应用的自定义需求，对显著影响传导和开关能量损耗的电路寄生参数进行定制化设定。

详细的损耗数据

根据用户自定义的电偏压和温度条件，对传导和开关能量损耗数据进行定制化设定，用户能够创建详细的数据表格，确保系统仿真的预测结果基于准确的内插，避免不准确的外推。

边界建模

我们的边界（Corner）模型适用于正常条件范围以及边界情形，使得用户能够跟踪其应用在正常、最坏和最佳生产环境下在传导和开关能量损耗方面的性能差异。

只需要登陆MyON账号（点此注册），即可进入快速、直观的在线仿真环境。

操作指南

了解如何有效使用PLECS模型自助生成工具。

查看指南

应用说明

讲解Elite Power仿真工具的主要优势和如何将其嵌入真实仿真环境。

查看了解

教程

我们的教程将向您介绍如何使用我们的仿真工具用于您的系统评估。

EliteSiC系列碳化硅

安森美为您提供具备出色性能和坚实品质的碳化硅（SiC）产品。

查看SiC产品

FS7 IGBT

安森美最新推出的场截止第7代(FS7)IGBT，为汽车和工业应用带来领先的性能表现。

IGBT产品

PowerTrench® T10 MOSFET

T10 MOSFET系列产品提供业界领先的RDS(on)、更高的功率密度、更低的开关损耗和更优的热性能。

MOSFET产品

创新式利用基于物理的
可扩展SPICE建模方式

经过多年的仿真经验总结，安森美的物理可扩展SPICE模型能够快捷高效地模拟SiC器件在电力电子电路中的行为，从而节约产品开发耗时。

查看白皮书

物理可扩展的SPICE模型将建模元件的物理结构纳入考虑，能够更准确地呈现其在电路中的行为。这对于使用传统模型时可能达不到理想准确度的新技术节点尤其重要。

基于物理的SPICE模型可扩展到不同的技术节点，这意味着同一个模型能够用于模拟元件在其他制程工艺里的结果，从而节省了为不同技术节点创建新模型的时间和精力。

用户可以更加准确地预测电路性能，这有助于识别和处理在设计流程初期面临的性能瓶颈。

将安森美EliteSiC产品加入您的设计环境

寄生电容，
漏电电感…

Application/System simulation with onsemi products

EliteSiC products, FS 7 IGBTs,
PowerTrench® MOSFETs