安森美的EliteSiC系列碳化硅产品，以及端到端的碳化硅生产能力，为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。
我们的碳化硅二极管产品采用全新技术，提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。
硅二极管是众多机械设备广泛使用的一种元件，但对于追求更高效率的应用需求，现在有了一种新的选择。碳化硅二极管是一种开关性能更高的二极管。它们具有更高的功率密度和更高的整体效率。能量损耗的减少也有助于降低系统成本。
与硅二极管相比，碳化硅二极管效率更高，抗高温性能更优，能够在更高频率和更高电压的条件下工作。由于碳化硅二极管的恢复时间比硅二极管更快，因此非常适合需要从阻断快速过渡到导通状态的电流。SiC二极管的发热情况也不像硅二极管那样高，因此可用于温度更高的应用中，且效率更高。
我们的SiC MOSFET产品高速且坚固，并具备效率高、尺寸小、成本低的系统优势。
MOSFET是指具有绝缘栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）。这些场效应晶体管通常由可控氧化硅制成，而SiC MOSFET是由碳化硅而不是硅制成的。
与硅MOSFET相比，选择SiC MOSFET有许多优势，例如开关频率更高。在使用 SiC MOSFET 模块时，也无需担心高温开发的问题，因为这些器件即使在高温条件下也能高效工作。此外，使用SiC MOSFET时，由于所有元件（电感器、滤波器等）的尺寸都更小，因此整体产品尺寸也更紧凑。
包括碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。升压模块可运用在DC-DC级太阳能逆变器。这些模块使用碳化硅MOSFET和碳化硅二极管，额定电压1200V。
安森美保证EliteSiC碳化硅产品的质量和可靠性
碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行业积累的生产数据仍不及硅的数据充分完整。我们对碳化硅产品实施质量和可靠性测试程序，确保我们能向客户交付高质量、高可靠性的碳化硅产品。
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EliteSiC碳化硅系列模块能够比同类紧凑封装方案提供更优的性能、更高的能效和功率密度。
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