抗辐射航天用&高可靠性专用集成电路(ASIC)

方案

安森美（onsemi）为航天和高可靠应用提供对其至关重要的辐射硬化设计（RHBD）解决方案。我们提供110纳米数字专用集成电路（ASIC）工艺，该设计包括一种自恢复逻辑（RSL）新型触发器（flip-flop）架构。SRL在面对高线性能量转移（LET）时仍然能够抵御单粒子事件效应，且工作频率高达700MHz，远远超过传统RHBD触发器架构的能力。

其他功能包括具有片上纠错码（ECC）的抗闩锁双端口SRAM、加固的时钟元件、高速I/O单元和单粒子事件闩锁保护单元。这些单元与现有的数字ASIC流程兼容，从而使价格、开发时间和生产周期更具优势。安森美提供广泛的设计解决方案来减轻辐射影响。

加固的IP和成熟的商用ASIC开发流程相结合，能够满足各种应用的设计应用需求。我们在ASIC领域长达五十年的实践，实现了成千上万个从规格到设计（design-from-spec）、客户互动和FPGA转换的成功案例。110纳米RHBD的性能加成帮助安森美扩大了ASIC产品成果，更好的满足现有客户以及新客户的需求。