三相

方案

安森美（onsemi）提供广泛的功率集成模块，带来高功率密度的碳化硅混合模块、IGBT模块和全碳化硅模块等。我们持续投入封装技术的优化，为您提供领先的热性能和功率密度，降低寄生效应，简化设计。

三相组串式逆变器系统

了解关于三相组串式逆变器系统、架构和技术的更多信息。

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全碳化硅和混合碳化硅模块

我们优化的封装工艺为您带来卓越的性能，更低的热阻，适应行业标准引脚的、易于安装的封装。

混合模块/a> 全碳化硅模块

IGBT模块

IGBT模块组合针对太阳能逆变器的DC-AC级进行了优化。这些最先进的产品利用新的窄台面IGBT技术，提供高电流密度和强大的短路保护功能，以及更高的阻断电压，提供出色的性能表现。

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评估/开发套件

SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB

15W高压辅助电源，适用于混动车和纯电动车应用

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SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB

40W高压辅助电源，适用于混动车和纯电动车应用

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SECO-GDBB-GEVB

栅极驱动器plug-and-play生态系统

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SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB

6-18V直流输入隔离式碳化硅栅极驱动器电源+20V/-5V/5V及车规级NCV3064控制器

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SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB

6-18V直流输入隔离式IGBT栅极驱动器电源+15V/-7.5V/7.5V及车规级NCV3064控制器

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技术文档

在1100V太阳能升压级的功率集成模块中的对比1200V SiC MOSFET和Si IGBT的性能表现

这份应用说明比较了在1100V太阳能逆变器升压级中两种功率集成模块（PIM）的性能表现。

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AND90204 – 安森美EliteSiC碳化硅系列第2代1200V SiC MOSFET M3S系列

这份白皮书将会向读者介绍安森美从最初设计到批量生产始终坚持采用的质量和可靠性的方法。

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碳化硅（SiC） - 从充满挑战的材料到强固的可靠性

这份白皮书将会向读者介绍安森美从最初设计到批量生产始终坚持采用的质量和可靠性的方法。

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适用于现代功率电子器件的基于物理的可扩展SPICE建模方式

高效的功率电子设计成功与否取决于准确和可预测的SPICE模型。

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功率半导体的安装考量

半导体的额定电流和功率与它们的热环境有着不可分割的联系。

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安森美M1 1200V碳化硅MOSFET和模块：特性和驱动建议

这篇文章介绍了安森美M1 1200V碳化硅MOSFET的主要特性和影响因素。

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NCD(V)57000/57001栅极驱动器设计说明

NCD(V)5700x是一款高电流单通道栅极驱动器，带有内部电磁隔离，用于高系统效率应用。

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碳化硅MOSFET：栅极驱动优化

对于高压开关功率应用，碳化硅或碳化硅MOSFET具备显著的优势。

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功率分立MOSFET的Top Cool封装

电源应用中采用的大多数MOSFET往往是表面贴装器件（SMD）...

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高压栅极驱动IC中自举电路的设计与应用指南

这篇文章的目的是展示设计高性能自举栅极驱动的系统性方法。

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高压栅极驱动器的功率耗散和散热考虑因素分析

用于高频开关MOSFET和IGBT的栅极驱动器会耗散大量功率...

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采用NCP4390/NCV4390的半桥LLC谐振转换器设计

在众多谐振转换器中，LLC谐振转换器是最普遍的拓扑...

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FAN9672/FAN9673设计提示和技巧

FAN967x是一款多通道交错并联连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）...

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采用NCP1562为电信系统设计100W有源正向钳位DC-DC转换器

NCP1562 PWM控制器包含实施有源正向钳位的所有特性和灵活度。

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电流检测放大器常见问题解答（FAQ）

安森美应用支持团队经常收到以下典型问题...

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商用组串式太阳能逆变器的拓扑结构

文明和人口密度爆发式的发展使二氧化碳排放开始失控...

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优化住宅太阳能系统，实现更佳的效率、可靠性和成本

《加州2022年建筑能效标准》是美国第一部规定新建住宅必须使用太阳能的建筑法规。

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SiC仿真

这篇文章将着重讨论仅由仿真获得的结果以及如何使用这些结果...

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安森美全新Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技术优势

这篇应用说明旨在解释这两款线上工具的技术优势...

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