方案

安森美(onsemi)具备从分立器件到模块方案的多样化产品阵容,为您 提供各类功率开关,包括IGBT、EliteSiC MOSFET、肖特基二极管。我们的产品能帮助您以合理的成本获得需要的性能和效率。

单相组串式逆变器系统

了解关于单相组串式逆变器系统、架构和技术的更多信息。

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650V IGBT,EliteSiC碳化硅MOSFET

650V IGBT采用了窄台、宽沟槽的场截止FS4技术,具有闩锁抗扰度和更小的栅极电容。650V EliteSiC MOSFET在VGS和温度方面具有更低的RDS(ON)。

IGBTs EliteSiC MOSFETs

IGBT模块

IGBT模块组合针对太阳能逆变器的DC-AC级进行了优化。这些最先进的产品利用新的窄台面IGBT技术,提供高电流密度和强大的短路保护功能,以及更高的阻断电压,提供出色的性能表现。

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评估/开发套件

SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB

15W高压辅助电源,适用于混动车和纯电动车应用

SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB

40W高压辅助电源,适用于混动车和纯电动车应用

SECO-GDBB-GEVB

栅极驱动器plug-and-play生态系统

SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB

6-18V直流输入隔离式碳化硅栅极驱动器电源+20V/-5V/5V及车规级NCV3064控制器

SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB

6-18V直流输入隔离式IGBT栅极驱动器电源+15V/-7.5V/7.5V及车规级NCV3064控制器

技术文档

在1100V太阳能升压级的功率集成模块中的对比1200V SiC MOSFET和Si IGBT的性能表现

这份应用说明比较了在1100V太阳能逆变器升压级中两种功率集成模块(PIM)的性能表现。

碳化硅(SiC) - 从充满挑战的材料到强固的可靠性

这份白皮书将会向读者介绍安森美从最初设计到批量生产始终坚持采用的质量和可靠性的方法。

安森美全新Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技术优势

这篇应用说明旨在解释这两款线上工具的技术优势...

NCD(V)57000/57001栅极驱动器设计说明

NCD(V)5700x是一款高电流单通道栅极驱动器,带有内部电磁隔离,用于高系统效率应用。

碳化硅MOSFET:栅极驱动优化

对于高压开关功率应用,碳化硅或碳化硅MOSFET具备显著的优势。

优化住宅太阳能系统,实现更佳的效率、可靠性和成本

《加州2022年建筑能效标准》是美国第一部规定新建住宅必须使用太阳能的建筑法规。

SiC仿真

这篇文章将着重讨论仅由仿真获得的结果以及如何使用这些结果...

适用于现代功率电子器件的基于物理的可扩展SPICE建模方式

高效的功率电子设计成功与否取决于准确和可预测的SPICE模型。

功率半导体的安装考量

半导体的额定电流和功率与它们的热环境有着不可分割的联系。

功率分立MOSFET的Top Cool封装

电源应用中采用的大多数MOSFET往往是表面贴装器件(SMD)...

高压栅极驱动IC中自举电路的设计与应用指南

这篇文章的目的是展示设计高性能自举栅极驱动的系统性方法。

高压栅极驱动器的功率耗散和散热考虑因素分析

用于高频开关MOSFET和IGBT的栅极驱动器会耗散大量功率...

采用NCP4390/NCV4390的半桥LLC谐振转换器设计

在众多谐振转换器中,LLC谐振转换器是最普遍的拓扑...

FAN9672/FAN9673设计提示和技巧

FAN967x是一款多通道交错并联连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)...

采用NCP1562为电信系统设计100W有源正向钳位DC-DC转换器

NCP1562 PWM控制器包含实施有源正向钳位的所有特性和灵活度。

视频

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