安森美（onsemi）具备从分立器件到模块方案的多样化产品阵容，为您 提供各类功率开关，包括IGBT、EliteSiC MOSFET、肖特基二极管。我们的产品能帮助您以合理的成本获得需要的性能和效率。
与储能系统搭配使用的太阳能系统的比例预计到2025年将增加到29%。下载这份白皮书，了解安森美全面的大功率硅和碳化硅器件组合，适用于各类住宅、商业和公用事业的太阳能系统。
白皮书
安森美最新推出Elite Power仿真工具，能够准确呈现出采用EliteSiC系列产品包括EliteSiC边界情形的电路运行情况。
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碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行业积累的生产数据仍不及硅的数据充分完整。我们对碳化硅产品实施质量和可靠性测试程序，确保我们能向客户交付高质量、高可靠性的碳化硅产品。
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650V IGBT采用了窄台、宽沟槽的场截止FS4技术，具有闩锁抗扰度和更小的栅极电容。650V EliteSiC MOSFET在VGS和温度方面具有更低的RDS(ON)。
IGBTs EliteSiC MOSFETs
IGBT模块组合针对太阳能逆变器的DC-AC级进行了优化。这些最先进的产品利用新的窄台面IGBT技术，提供高电流密度和强大的短路保护功能，以及更高的阻断电压，提供出色的性能表现。
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这份应用说明比较了在1100V太阳能逆变器升压级中两种功率集成模块（PIM）的性能表现。
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