ONC18

ONC18：0.18µm CMOS标准单元

安森美（onsemi）ONC18标准单元系列既能提供高性能、低功耗的核心库，同时存储器具备全面的I/O性能及先进片外内存接口。 ONC18系列采用高性能CMOS工艺，为低成本、中大批量应用提供小裸片尺寸。

参数

特性

高达1,000万逻辑门和7 Mb RAM

结温范围为-55°C至150°C

PLL时序产生器

85°C时抗闩锁> 100 mA

提供多层掩膜工艺（Multi Level Reticles）

特性

参数

工艺技术

0.18 µm ONC18高性能（HP）工艺
多达6层金属和再分布层（RDL）

卓越的功率和性能

125℃时0级流水线18×18乘法器承受时延4 ns
高速 - 266 MHz本地时钟频率
1.8V或1.5V核心工作电压
1.5V、1.8V、2.5V、3.3V I/O单元
3.3V/5V容限I/O单元
提供高阈值电压（HVt）逻辑及存储器，满足低漏电的设计要求

综合密度、速度、性能和价格的最优选择

高密度：125,000门/mm2
低功率：46 nW/MHz/gate（FO=1；VDD=1.8 V）

多种软硬IP选择

10/100以太网MAC，I²C
R8051，ARM核心及外围设备
DDR and DDR2字节加控制器

广泛的存储器支持

高达16K x 64的同步单端口、双端口
专用BIST端口
优化速度、密度且功耗低的存储器编译器
采用2048 x 32单端口SRAM配置时存储器性能达 360 MHz
提供可编程ROM

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应用

ONC18晶圆产于安森美位于美国国内的晶圆厂。此外，安森美还提供全套在岸（on-shore）流程，包括设计、掩膜制作、硅、封装及测试，均符合国际武器贸易条例（ITAR）及不可向国外发布（NOFORN）流程，以配合支持政府及军事项目。因此ONC18是军事、商用航空、军需品和雷达系统应用的最佳选择。其他应用领域包括工业应用、商用和军用通讯如无线通讯基础设施、及其他终端应用。

小裸片尺寸和低器件成本适合需要大量板载存储器和逻辑的设计。ONC18的高性能工艺使其适用于众多应用，包括要求10/100以太网MAC、CAN 2.0和I2C的应用。

低功率核心库和存储器使ONC18能够满足功率敏感型ASIC的要求。在安森美在岸生产的条件支持下，ONC18能够为多种严苛环境下的电池供电及安全应用提供强大的解决方案。ONC18为门数量达1000万、存储器达7Mb的中等规模应用提供了高性价比的方案。在支持各种I/O系列标准的同时，安森美的RTL签核及网表转换流程，实现快速无缝地获取ONC18设计。

现有产品的替代供应源

安森美的ASIC至ASIC转换能力让ONC18为现有的大、中、小批量产品提供了一个高性价比的替代供应选择。

FPGA原型设计

基于安森美丰富的FPGA转换经验，采用FPGA构建原型的ASIC设计，或部分采用FPGA或FPGA与其它器件分割而构建原型的ASIC设计，均能够集成到单个ONC18器件之中。

FPGA转换

ONC18产品路线图将扩展至完全支持1.8V及1.5V FPGA器件，包括完整I/O、存储器特性兼容和实现与DLL/PLL等效。

增加定制模块

安森美擅长于在定制化ASIC中集成数字和模拟功能。模拟功能包括模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）、运算放大器和比较器、电磁干扰（EMI）/射频干扰（RFI）滤波器、AC-DC及DC-DC控制器和稳压器、驱动器、热管理、电压及电流管理，以及数字电位计。

设计流程

众多知名第三方软件平台均支持安森美的ASIC：

Mentor Graphics™

Synopsys®

Cadence®

安森美设计流程集合了我们专有的工具及领先的第三方设计工具，为带RTL签核的中等规模ASIC设计提供灵活的设计接口，为ASIC到ASIC转换提供ASIC网表，以及为FPGA到ASIC转换提供FPGA设计。安森美的软件支持方法（software support methodology）确保我们从设计到生产的流程紧密流畅衔接。安森美的专业资深工程专家可在设计流程的每个阶段为您提供帮助。