功率模块

Si/SiC混合模块包含IGBT、硅二极管和SiC二极管，适用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源的DC-AC级。

硅/碳化硅（Si/SiC）混合模块是具有高功率密度的IGBT集成功率模块。它们的开关损耗比非混合模块更低，工作温度也高于其他类型的半导体。

硅/碳化硅混合模块可用于要求低损耗的大功率应用。与同类硅模块相比，它们更适用于更高的温度环境。对于需要高频开关的系统，硅/碳化硅混合模块的效率更高。

碳化硅模块包括碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。升压模块应用于DC-DC级太阳能逆变器。这些模块使用碳化硅MOSFET和碳化硅二极管，额定电压1200V。

碳化硅（SiC）模块采用碳化硅半导体作为开关的功率模块。碳化硅功率模块的目的是通过开关转换电力，从而提高系统效率。SiC功率模块之所以能提高能效，是因为它能使系统以更高的频率运行。

碳化硅模块的主要功能是转换电力。碳化硅比硅更有优势，因为碳化硅器件（由于效率更高）离开源极的阻力更小，因此可以在更高的开关频率下工作。与硅解决方案相比，基于碳化硅的系统也更紧凑、更轻便，从而可以实现更小巧的设计。因此，碳化硅器件是提高效率和优化热管理的理想解决方案。