集成无源器件

为您提供

安森美的High-Q™集成无源器件（IPD）工艺提供了高电阻率硅-铜工艺，是生产如平衡转换器（balun）、滤波器、耦合器，双工器等无源器件的理想平台，这些无源器件可用于便携、无线和射频应用。IPD 为射频系统封装提供了一个高性价比高的解决方案。原型产品设计支持共乘（shuttle）试制服务。IPD 工艺支持基于200毫米晶圆设备制造铜电感器、精密电容器和精密电阻器。我们也提供针对定制化应用的设计服务，以及完整的特性设计套件，用于布局、模拟和验证。

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特性性能

参数

类别

数值

硅HRS衬底

1.5 kΩ∙cm

MIM电容密度

0.62 F/µm²

电阻器薄层电阻

9 Ω/square

电感器薄层电阻

3.5 mΩ/square

硅基氧化层厚度

5.6 µm

MIM运行电压

20 V

M1铝层厚度

2 µm

MN铜层厚度

5 µm

MN2铜层厚度

5 µm

焊盘

焊线工艺，倒装芯片

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特性

High-Q™铜电感

MIM电容器

氮化钛电阻

三层金属布线（1铝2铜）

硅晶圆直径200mm

高电阻率硅衬底

平面大马士革双镶嵌(dual damascene)铜工艺

优秀的工艺控制

全特性设计套件

设计服务

共乘试制服务

相较分立式方案的空间占用更少

厚度低于低温共烧陶瓷(LTCC)产品

成本低于砷化镓(GaAs)

性能优于其他硅解决方案

显示更多

定制化CCD图像传感器

（25摄氏度下的典型值）

电感器

参数

数值

铜层厚度

5, 10 µm

最小宽度

5 µm

最大宽度

40 µm

最小空间

3 µm

最小内径

50 µm

建议范围

1 - 50 nH

最大Q值

25 - 45 nH

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电容器

参数

数值

最小宽度

15.75 µm

最大宽度

450 µm

最大面积

45 000 µm²

建议范围

1 - 100 pF

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电阻器

参数

数值

最小宽度

2 µm

最小长度

9 µm

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CAD工具兼容性

电路图设计+布局布线：Cadence Viruoso，Agilent ADS

仿真：Ansoft HFSS，Agilent ADS

物理验证：Cadence Assura，Mentor Calibre

软件

IPD1/2

工艺设计套件PDK（参数化单元&模型）： Cadence Virtuoso OA，Keysight ADS，NI AWR Environment V13
模板：ANSYS HFSS，Integrand EMX，Sonnet

IPD0

Excel计算器