方案
设计
碳化硅 (SiC)
碳化硅 (SiC)
安森美的EliteSiC系列碳化硅产品，以及端到端的碳化硅生产能力，为您提供具备出色性能和坚实品质的产品。
产品分类
碳化硅 (SiC）二极管
我们的碳化硅二极管产品采用全新技术，提供比硅材质更胜一筹的开关性能和可靠性。
硅二极管是众多机械设备广泛使用的一种元件，但对于追求更高效率的应用需求，现在有了一种新的选择。碳化硅二极管是一种开关性能更高的二极管。它们具有更高的功率密度和更高的整体效率。能量损耗的减少也有助于降低系统成本。
与硅二极管相比，碳化硅二极管效率更高，抗高温性能更优，能够在更高频率和更高电压的条件下工作。由于碳化硅二极管的恢复时间比硅二极管更快，因此非常适合需要从阻断快速过渡到导通状态的电流。SiC二极管的发热情况也不像硅二极管那样高，因此可用于温度更高的应用中，且效率更高。
碳化硅 (SiC) MOSFET
我们的SiC MOSFET产品高速且坚固，并具备效率高、尺寸小、成本低的系统优势。
MOSFET是指具有绝缘栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）。这些场效应晶体管通常由可控氧化硅制成，而SiC MOSFET是由碳化硅而不是硅制成的。
与硅MOSFET相比，选择SiC MOSFET有许多优势，例如开关频率更高。在使用 SiC MOSFET 模块时，也无需担心高温开发的问题，因为这些器件即使在高温条件下也能高效工作。此外，使用SiC MOSFET时，由于所有元件（电感器、滤波器等）的尺寸都更小，因此整体产品尺寸也更紧凑。
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Bare Die
onsemi's Silicon Carbide(SiC) bare dies are optimized for use in high power applications such as EV Traction inverters, DC-DC converters, and off-board chargers.
功率模块
碳化硅（SiC）模块
包括碳化硅MOSFET和碳化硅二极管。升压模块可运用在DC-DC级太阳能逆变器。这些模块使用碳化硅MOSFET和碳化硅二极管，额定电压1200V。
安森美保证EliteSiC碳化硅产品的质量和可靠性
碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行业积累的生产数据仍不及硅的数据充分完整。我们对碳化硅产品实施质量和可靠性测试程序，确保我们能向客户交付高质量、高可靠性的碳化硅产品。
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EliteSiC碳化硅系列
EliteSiC系列MOSFET
系列
电压
优化
最佳应用
M1
1200V, 1700V
大尺寸晶片低电阻
开关损耗和传导损耗的平衡
- DC-DC固态继电器
- 主驱&电机驱动器
- 硬开关应用
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M2
650V, 750V, 1200V
低速应用的最低RDS(ON)
- DC-DC固态继电器
- 主驱&电机驱动器
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M3
1200V
配备15V-18V栅极驱动器的快速开关应用
- 硬开关应用
- LLC谐振应用
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EliteSiC系列二极管
系列
电压
优化
最佳应用
D1
650V, 1200V, 1700V
大尺寸晶片低电阻以及最高浪涌电流额定值
- Vienna整流器输入级
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D2
650V
低Vf的高速开关
- PFC级
- 输出整流
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D3
1200V
低Vf的高速开关
- PFC级
- 输出整流
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